美国芯片补贴申请新限制：未来10年禁止将在华先进制程扩产超5%，成熟制程扩产也要低于10%

　　3月30日，根据美国“芯片法案”的相关规定，想要申请美国联邦资金补助的半导体企业可能将面临艰难的决定，因为如果接受美国资金补助在美国扩产，就需要限制他们在中国大陆进行扩产。

　　3月30日消息，据《华尔街日报》报导，根据美国“芯片法案”的相关规定，想要申请美国联邦资金补助的半导体企业可能将面临艰难的决定，因为如果接受美国资金补助在美国扩产，就需要限制他们在中国大陆进行扩产。

　　美国拜登政府上周公布了申请“芯片法案”补贴当中关于390亿美元的芯片制造补贴的限制规定，详细规定了半导体企业在接受美国纳税人税金补贴资助的情况下，在中国大陆和其他受关注国家或地区的运营将面临的限制。除了禁止获补贴厂商先进制程产量扩大超过 5%，成熟制程产量扩大超过 10%，而且时间长达 10 年之外，还限制接受经费补贴的企业与中国等外国相关实体进行联合研究和技术许可。详见：美国芯片补贴申请新限制：未来10年禁止将在华先进制程扩产超5%，成熟制程扩产也要低于10%！

　　而这些规定让相关企业高层、律师、分析师都觉得比预期的限制还要严格。因为被限制的半导体除了适用于先进军事武器系统所需先进制程之外，也包括制造大多数电子产品所需芯片使用的传统制程。

　　有行业专家表示，美国这样的限制规定会使得很多公司保留他们是否愿意接受美国芯片法案的资助的决定。尤是其对于在中国大陆有大量业务的亚洲半导体企业来说，比如三星、SK海力士、台积电，这些限制影响将尤其严重，因为这些公司多半已经在中国投资了数十亿乃至上百亿美元。

　　例如，三星在中国西安拥有一座NAND Flash 工厂，在苏州有营运著一座封装厂。而 SK 海力士则在中国无锡则是营运 DRAM 生产工厂，并藉在 2020年收购了英特尔在大连的 NAND Flash 工厂。至于，台积电则是在中国南京和上海营运著两座晶圆代工厂。

　　根据调研机构 TrendForce 的数据显示，截至 2022 年为止，三星西安工厂约占全球 NAND Flash总产量的16%，而 SK 海力士无锡工厂约占全球 DRAM总产量的 12%，其大连工厂则是占 NAND Flash产量的6%。至于，台积电的上海和南京工厂合计占该公司总代工晶圆产能的 6% 左右。因此，一旦这些产线产生不确定的影响，冲击的将不只是这些企业本身的营运状况，还会使得全球的相关产品供应链出现问题。

　　显然，目前对于台积电、三星、SK海力士等已经开始在美国建厂或有相关建厂计划的厂商来说，现在就面临着“选边站”的两难的问题。选择申请美国“芯片法案”补贴，虽然可以弥补美国建厂成本高昂的问题，但却未来10年在中国大陆的进一步投资将会遭到严格限制。而中国目前仍是全球第一大半导体消费市场，如果放弃继续扩大投资，则有可能将逐步失去这个市场的市占率及未来机会。但是，如果选择放弃灭国“芯片法案”的补贴，由于美国对华半导体限制政策的持续加码，未来想要在中国进一步扩大产能，关键的半导体设备的获取可能也仍将受到美国的限制，这同样会限制其在中国继续投资。因此，这确实是一个两难的选择，非常考验相关企业的战略眼光。

　　韩国贸易部长 Lee Chang-yang 最近在首尔就表示，美国对向中国大陆出口先进芯片、先进芯片制造设备的限制，将使韩国更难继续在中国投资。不过，最终仍取决于企业本身做最后的决定。

　　美国商务部长 Gina Raimondo 则表示，美国拜登政府并不寻求在经济上与中国脱钩。“我们希望美国企业继续在中国开展业务，并与中国开展业务。 不过，我们确实必须对美国面临的风险睁大眼睛。”

　　Gina Raimondo 补充指出，中国已明确表示希望获得最先进的美国技术，并将其纳入其军事生产技术当中。因此，“我们不能允许这种情况发生。”

　　有报道称，Gina Raimondo 可能会在 2023 年秋天访问中国大陆，以保持与北京方面的畅通沟通管道，并确保美国企业能够在公平竞争的环境中开展业务。

　　而被视为美国“芯片法案”补助对象的相关半导体企业，对于这样的态度基本上公开拒绝评论。不过，三星指出，它一直在与美国和韩国的相关政府机构进行密切沟通，以计划在审查补贴资金细节后，确定下一步行动。

　　事实上，三星正在美国德州泰勒市斥资 170 亿美元兴建一座先进半导体晶圆厂，并于去年提出了可能在美国德克萨斯州投资 2,000 亿美元建设半导体生产基地的基地。而晶圆代工龙头台积电去年年底则是宣布将在美国亚利桑那州晶圆厂的投资额提高到400 亿美元。至于SK 海力士，则计划在美国新建先进半导体封装厂。

　　值得注意的是，SK海力士公司近期表示，通过韩国和美国政府之间的谈判，其针对该公司在中国的设施营运相关不确定性问题已经被消除，并将密切观察美国的相关做法。