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美国此次通过的芯片法案与台积电密切相关

发布时间:2022-08-04 16:16:52

最佳答案:芯片法案」刚通过,佩洛西窜访台积电,与董事长刘德音会晤:想拿美国补贴,就必须「选边站」。台积电官方对此次事件拒绝评论。 在「芯片法案」已经获得通过的大背景下,佩洛西

  芯片法案」刚通过,佩洛西窜访台积电,与董事长刘德音会晤:想拿美国补贴,就必须「选边站」。台积电官方对此次事件拒绝评论。

  在「芯片法案」已经获得通过的大背景下,佩洛西此次窜台,与台积电董事长刘德音的会面备受关注。

  据报道,二人主要讨论了这一法案(又称「芯片与科学法案」)的实施。

  此前,佩洛西的台积电行程并未单独出现在其官方公布的行程计划内,而是与其他台湾高官的会面计划捆绑一起的。

  台积电官方拒绝对此次会面做出评论。

  窜访台积电,逼它「选边站」?

  美国此次通过的「芯片法案」与台积电密切相关。

  目前,台积电正在美国亚利桑那州建造一座价值120亿美元的5纳米制程晶圆厂,预计于2024年投产。

  不过按照台积电的技术路线图,到2024年时,5纳米已经不是最先进的技术,公司没有将最先进的芯片工厂建在海外。

  按照美国的「芯片法案」,去美国本土建厂的芯片企业,都可以从520亿美元的巨额补贴中分一杯羹,虽然大概率没有英特尔拿得多,但有钱拿总是好事。

  相比之下,台积电设在中国大陆地区的工厂,技术至少落后最先进技术「两代以上」。

  台积电在南京建有一座12英寸晶圆代工厂,采用的是16纳米和28纳米工艺的成熟技术,在上海也有一个8英寸晶圆厂。

  目前,台积电对中美两国的半导体产业而言,都有难以替代的重要作用。而台积电也一直在美国和中国之间试图取得平衡。

  不过,此次通过的「芯片法案」规定,要想接受美国政府的补贴和资助,就必须承诺不在中国大陆地区增加先进芯片的产能。

  看起来,对台积电来说,「选边站」似乎是免不了的事了。

  台积电董事长刘德音此前在接受CNN采访时说,没有人可以用武力控制台积电,因为任何军事行动或 都会导致 「台积电工厂无法运作」 。他还说,台积电不应该仅仅因为离中国大陆近而受到「歧视」。

  由此次佩洛西窜访导致的两岸紧张气氛,更是体现在了分析人士的观点中。

  有「中国通信业知名观察家」头衔的微博用户@飞象网项立刚在社交媒体上表达了自己的观点。

  他认为:大陆和台湾的芯片企业,主要是竞争,而且是残酷竞争,没有合作,或者说是竞争大于合作。

  「台湾芯片企业在大陆是利用大陆的政策、资金、资源、人才,尤其是利用大陆的市场。」他说。

  「芯片法案」下周签署

  这项让佩洛西「窜访」台积电的「芯片法案」,已经在7月底凭借着众议院243-187票和参议院64-33票获得了通过。

  其最终版本的资金规模高达2800亿美元,除了包含此前520亿美元对芯片企业的建厂补贴和税收优惠外,还包含投资2000亿美元加强人工智能等技术领域的研究,100亿美元建设20个技术研究中心以及其他数十亿美元的投资等等。

  此外,该法案将在五年内拨款超过1700亿美元用于促进美国的科学研究。

  英特尔透露,通常来说建造建造一座新的晶圆厂,成本大概需要100亿美元。而有了「芯片法案」,企业就能节省其中的30亿美元。

  随后,美国白宫在8月3日的一份新闻声明中表示,拜登将于8月9日对法案进行签署。

  至此,这项酝酿了两年的「芯片法案」,距离落地也只差最后的临门一脚了。

  韩国巨头重新观望

  在「芯片法案」的影响下,韩国的芯片制造商也开始对中国市场有所顾忌。

  分析师和业内消息人士称,日益加剧的紧张局势可能让三星和SK海力士不得不重新审视在中国的投资战略。

  曾任韩国贸易部长的经济官员Yeo Han-koo表示,韩国芯片制造商针对美国和中国的「战略调整」已经开始。

  三星在去年就宣布正在美国德克萨斯州投资170亿美元,新建一座晶圆代工厂,以期赶上对手台积电。拜登在5月访韩期间,参观了三星的平泽工厂。

  而在上个月SK集团的董事长宣布在美国投资220亿美元的半导体、电动汽车电池和绿色技术,包括新的先进芯片封装厂。

  美国总统乔·拜登(右)与韩国总统尹锡烈于5月访问平泽的三星电子工厂

  在中国,两家大厂也撒下不少投资。

  三星在中国西安的存储芯片业务是该国最大的外国芯片项目之一,自2012年破土动工以来,该公司已累计投资约260亿美元。

  根据TrendForce去年底的数据,西安工厂占三星全球NAND闪存产能的43%,占全球总产能的15%。

  而SK海力士刚在去年年底完成了以90亿美元收购英特尔NAND业务的第一阶段,其中就包括位于大连的NAND制造工厂。

  同时,SK海力士在无锡的DRAM内存芯片工厂,也极可能受到影响。因为由于美国的阻挠,SK海力士无法使用荷兰公司ASML制造的最新极紫外光刻 (EUV) 芯片制造机,升级其在无锡的DRAM存储芯片生产设施。

  专家表示,美国的制裁将会带来巨大的代价——破坏脆弱的全球芯片供应链,毕竟三星和SK海力士控制着全球50%以上的NAND闪存芯片市场。

  在全球经济放缓的情况下,消费者的需求本就十分疲软,又恰逢全球芯片供应短缺,美国导致的新一轮动荡已经开始扰乱从汽车到电子设备的市场。

  现在,全球的芯片短缺本就尚未解决,任何新的动荡迹象都会点燃市场的焦虑,引发价格的飙升。

  此外,制造芯片用设备在生产开始的几个月前就必须完成安装,并进行全面测试。将设备运往中国的任何延迟都将对芯片制造商构成极大的挑战。

  「许多美国公司都使用三星和 SK 海力士的存储芯片。无论(三星和 SK 海力士)最终选择何种战略,都会产生全球性的影响。」BNK Securities分析师Lee表示。

  存储芯片也被针对

  据路透社报道,美国正在考虑禁止向中国出口用于制造先进NAND存储芯片的设备。

  就在几天前,以参议院多数党领袖查克·舒默为首的多位美国参议员致信美国商务部长,要求将长江存储等中国芯片制造商加入美国贸易黑名单。

  目前,长江存储及其母公司紫光集团还没有就此发表意见。

  时值美国加大力度遏制中国半导体产业之际,这一消息显得尤为敏感。

  与此同时,中国正在推动战略经济部门实现更大程度的自给自足,以减少对此类技术进口的依赖。

  美国半导体设备供应商Lam Research和KLA Corp表示,美国正在推动对中国实施更严格的出口法规,涵盖制造14纳米及以下芯片所需的设备。

  此举使得中国顶级芯片制造商——中芯国际(SMIC)进军先进芯片制造领域的脚步变得更为艰难。

  中芯国际在2020年12月,被加入了美国的实体限制名单。但长江存储自2016年以来,却始终与美国保持良好关系,从未登上任何美国的贸易黑名单。

  就在禁令的报道发布之际,长江存储还一直在加紧建设其在武汉的第二家制造厂。据日经亚洲报道,该公司于6月开始在新芯片厂安装设备,最早可在2023年生产196层3D NAND闪存。

  不可否认的是,长江存储现在仍然严重依赖进口芯片制造设备。

  中信证券首席电子分析师徐涛在最近的一份研究报告中表示,截至今年7月,长江存储只有18%的制造设备来自国内企业。

  韩国产业经济与贸易研究所高级研究员金阳鹏表示:「很明显,如果没有美国的技术来源,对中国来说,半导体生产是相当困难的。」